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媒體消息,索尼的CMOS圖像傳感器(CIS)業務正飛速發展,并將延伸至全球汽車市場,目標是挑戰行業領導者安森美的市場地位并超越。目前索尼正主導日本市場。
英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX:IFNNY)推出分立式650V IGBT7 H7新品,進一步擴展其第七代TRENCHSTOP? IGBT產品陣容。全新器件配備尖端的EC7共封裝二極管,先進的發射器控制設計結合高速技術,以滿足對環保和高效電源解決方案日益增長的需求。TRENCHSTOP IGBT7 H7采用最新型微溝槽柵技術,具有出色的控制和性能,能夠大幅降低損耗,提高效率和功率密度。因此,該半導體器件適合用于各種應用,如組串式逆變器、儲能系統(ESS)、電動汽車充電應用以及如工業UPS和焊接等傳統應用。在分立式封裝中,650 V TRENCHSTOP IGBT7 H7可輸出高達150A的電流。該產品系列電流等級為40A至150A,有四種不同封裝類型:TO-247-3 HCC、TO-247-4、TO-247-3 Plus和TO-247-4 Plus。TRENCHSTOP IGBT7 H7的TO-247-3 HCC封裝具有較高的爬電距離。TO-247的4引腳封裝(標準封裝:IKZA,Plus封裝:IKY)在提高性能方面表現出眾,因為它不僅能降低開關損耗,還提供了額外的優勢,如更低的電壓過沖、最小的導通損耗和最低的反向恢復損耗。憑借這些特性,TRENCHSTOP IGBT7 H7簡化了設計,最大限度減少了并聯器件的需求。此外,650 V TRENCHSTOP IGBT7 H7具有出色的防潮性能,可在惡劣環境中可靠運行。該器件通過了JEDEC 47/20/22的相關測試,特別是HV-H3TRB,符合工業應用標準,因此非常適合戶外應用。IGBT專為滿足環保以及高效能源應用的需求而設計,相較于前幾代產品有顯著改進。因此,TRENCHSTOP IGBT7 H7 是常用于太陽能和儲能系統等中的NPC1拓撲的理想補充。
DRAM小巧玲瓏又萬能的存儲器DRAM,全稱為動態隨機存取存儲器,是計算機硬件中不可或缺的一部分。它的小巧靈活、容量大、速度快等特點,讓它在各種應用領域中都有著不可替代的地位。一、什么是DRAMDRAM是一種隨機存取存儲器,以其高速度和可靠性而聞名。它是一種動態存儲器,需要不斷地刷新(refresh)才能保持存儲信息的穩定性。在計算機系統中,DRAM通常用作主存儲器,也可以作為圖形處理器和其他高速緩存的存儲器。二、DRAM的特點1. 小巧靈活:相比于其他存儲器,DRAM體積更小,可以在更為狹小的空間內實現更高的密度,從而實現更大的存儲容量。2. 速度快:DRAM的讀寫速度非常快,可以讓計算機高效地完成各種運算和處理。3. 高度可靠:DRAM具有高度的可靠性和穩定性,即使在高溫、低溫等惡劣條件下,也能夠穩定地工作。4. 低功耗:DRAM的功耗非常低,能夠在長時間內保持低耗電狀態。三、DRAM的應用領域1. 計算機主板:DRAM是計算機主板中最重要的存儲器之一,它能夠存儲臨時數據,從而讓計算機高效地完成各種運算和處理。2. 移動設備:DRAM還被廣泛用于移動設備中,如智能手機、平板電腦等。DRAM的小巧靈活和低功耗特點,讓它成為移動設備中存儲器的首選。3. 服務器:在服務器領域,DRAM的應用也非常廣泛。它能夠快速地存儲和讀取大量的數據,從而讓服務器能夠更高效地工作。總的來說,DRAM作為一種小巧靈活、速度快、可靠性高的存儲器,已經成為計算機硬件中不可或缺的一部分。
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