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IR35217MTRPBF英飛凌MOSFET驅動器芯片的介紹
IR35217MTRPBF是一款英飛凌（Infineon）生產的MOSFET驅動器芯片。以下是該產品的規格：
1. 工作電壓范圍：4.5V至20V
2. 驅動電流：高達2A
3. 輸出電流：高達4A
4. 上升/下降時間：15ns
5. 延遲時間：25ns
6. 工作溫度范圍：-40℃至125℃
7. 封裝：8引腳SOIC
該芯片適用于高速、高效的MOSFET驅動應用，如DC-DC轉換器、電機驅動器和LED照明等。
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英偉達CEO黃仁勛再發聲：不能低估中國在芯片領域的追趕能力
美國芯片制造巨頭英偉達創始人兼首席執行官黃仁勛30日在臺北針對美國對華半導體出口限制再度發出警告，稱不要低估中國企業的追趕能力，大批本土GPU初創公司正在冒頭。美東時間30日，英偉達股價再度大漲，盤中市值短暫突破一萬億美元，創造歷史。據《日經亞洲》網站30日報道，黃仁勛當天是在臺北國際電腦展的全球媒體圓桌會議上做出上述表態的。他強調，英偉達會遵守美國政府的出口管制規定，但他認為中國將借此機會培養本土企業家，以應對與美國的緊張關系。“現在如果你還沒有涉足芯片產業，但是你希望創辦一家芯片公司，你會創辦一家什么樣的公司？你會創辦一家GPU（圖形處理器）公司。中國現在就有一大堆GPU初創公司。”黃仁勛說。GPU最初被設計用于圖形顯示，由于可高效實現并行計算，逐漸取代CPU被廣泛應用到通用計算和AI計算領域，2020年通用計算和AI已成為GPU的主要增長驅動力。黃仁勛認為，盡管尚難預言美方出口管制會否反為中國創造一個獨立的AI軟硬件生態系統，但他進一步指出，公眾必須承認中國在云計算、互聯網服務、數字支付、電動汽車和自動駕駛技術方面技術上取得的進步。當被問及中國GPU與英偉達的差距時，黃仁勛表示，現有的芯片企業要想保持強勁的競爭力，就必須繼續努力。“我們自己必須要跑得非常快。”他說，“中國在這方面投入的資源……相當龐大，所以你不能低估他們。”近來黃仁勛的一舉一動格外受到媒體關注。在上周抵達臺灣參加一系列活動之前，他接受英國《金融時報》專訪時亦提及對華半導體出口管制，警告美國挑起的芯片之爭令其國內半導體企業備受掣肘，或反為本國科技行業帶來“巨大損害”，并形容相關禁令讓英偉達“雙手被縛在背后”。他表示，中國約占據了美國科技產業三分之一的市場，其作為半導體零部件來源地和產品終端市場的地位，讓其無法取代，并就此警告美國官員，在對中國實施進一步限制時必須“深思熟慮”。臺南出身的黃仁勛在采訪中對中國大陸市場的看法引起島內熱議。臺前“立委”郭正亮29日在電視節目上稱，英偉達因GPU芯片需求而前程大好，但美國高科技業卻因為半導體出口管制而痛苦萬分，現在看到第一季財報還有美光被“制裁”，心里會發抖。上周，英偉達交出一份遠超預期的財報，2024財年第一財季實現營收71.92億美元，同比減少13%，但大幅高于分析師平均預期的65.2億美元；非美國通用會計準則下凈利潤為27.13億美元，同比下降21%；每股收益1.09美元，分析師平均預期為0.92美元。美東時間30日，英偉達收漲約3%，盤中股價一度漲至404.25美元/股，以其24.7億股總股本計算，市值約為1萬億美元，使其成為首家躋身萬億美元俱樂部的芯片企業。
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Transphorm推出頂部散熱型TOLT封裝FET器件,助力計算、人工智能、能源和汽車電源系統實現卓越的熱性能和電氣性能
新推出器件是業界首款采用頂部散熱的TOLT氮化鎵晶體管,擴展Transphorm多樣化的產品封裝組合，代表著下一代電源系統未來的，氮化鎵（GaN）功率半導體的全球領先供應商 Transphorm, Inc.近日宣布新推出一款TOLT封裝形式的SuperGaN?FET。新產品TP65H070G4RS 晶體管的導通電阻為72毫歐，為業界首個采用JEDEC標準（MO-332）TOLT封裝的頂部散熱型表面貼裝氮化鎵器件。針對不適合使用傳統底部散熱型表貼器件的系統，TOLT封裝為客戶提供了更為靈活的熱管理方案。采用TOLT 封裝，不僅熱性能可媲美廣泛使用的、熱性能穩定的TO-247插孔封裝，還具有基于SMD的印刷電路板組裝（PCBA）實現高效制造流程的額外優勢。TP65H070G4RS 采用了 Transphorm強大的高性能 650 V 常閉型 d-mode 氮化鎵平臺，該平臺具有更低的柵極電荷、輸出電容、交叉損耗、反向恢復電荷和動態電阻，從而效率優于硅、碳化硅和其他氮化鎵產品。SuperGaN平臺的優勢與 TOLT 封裝更好的散熱性及系統組裝靈活性相結合，為尋求推出具有更高功率密度和效率、總體功率系統成本更低的電源系統客戶提供了高性能、高可靠性的GaN解決方案。Transphorm正在與全球多個高功率GaN合作伙伴展開合作，包括服務器和存儲電源領域的領先客戶，能源/微逆變器領域的全球領導者，創新型離網電源解決方案制造商，以及衛星通信領域的領軍企業。Transphorm 業務發展及市場營銷高級副總裁 Philip Zuk 表示：“TOLL 和 TOLT 這樣的表面貼裝器件具有降低內部電感，以及在制造過程中更簡單的板載安裝等諸多優勢。TOLT 通過采用頂部散熱來提供更靈活的整體熱管理，具有類似插孔式的散熱性能。這些器件通常用于中高功率系統應用，關鍵細分市場包括高性能計算（服務器、電信、人工智能電源）、可再生能源和工業、以及電動汽車等。目前，其中一些市場應用已采用了Transphorm的氮化鎵技術。我們非常高興能夠通過TOLT SuperGaN解決方案幫助客戶實現額外的系統級優勢。”繼最近推出三款新型TOLL FET 后，Transphorm發布該款TOLT FET新產品，進一步豐富了 Transphorm 的產品線，并彰顯了Transphorm SuperGaN 平臺采用不同封裝形式器件“鎵”馭全功率以支持客戶應用的市場承諾。器件規格SuperGaN 器件憑藉其無與倫比的性能優勢引領市場：● 可靠性：FIT失效率低于0.05● 柵極安全裕度：± 20 V● 抗擾性：4 V● 電阻溫度系數（TCR）比 e-mode 常閉型氮化鎵器件低 20%● 驅動靈活性（可采用標準的市售硅器件驅動器）該650 V SuperGaN TOLT 封裝器件穩健可靠，已通過 JEDEC 標準認證。由于常閉型 d-mode 平臺是將GaN HEMT與一個集成型低電壓硅 MOSFET結合，因此，SuperGaN FET 可以使用常用的市售柵極驅動器驅動，應用于各種硬開關和軟開關 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 拓撲中，提高功率密度，并減少系統尺寸、重量和成本。
哦! 它是空的。