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“今天,我們公司在擴大制造足跡的過程中邁出了重要的一步。這座新工廠是我們長期300毫米制造路線圖的一部分,旨在打造客戶未來幾十年所需的產(chǎn)能。”Ilan說道。“在TI,我們的熱情是通過讓電子產(chǎn)品變得更便宜來創(chuàng)造一個更美好的世界通過半導體。我們很自豪能夠成為該組織中不斷壯大的成員猶他州社區(qū),并制造對當今幾乎所有類型的電子系統(tǒng)都至關重要的模擬和嵌入式處理半導體。”2 月份,TI宣布110億美元投資于猶他州,標志著該州歷史上最大的經(jīng)濟投資。LFAB2 將為TI創(chuàng)造約800個額外工作崗位以及數(shù)千個間接工作崗位,首批生產(chǎn)最早將于2026年投入使用。“TI的制造業(yè)務不斷增長猶他州將為我們州帶來變革,為猶他州創(chuàng)造數(shù)百個高薪就業(yè)機會,以制造至關重要的技術。”猶他州州長斯賓塞·考克斯。“我們?yōu)榘雽w制造而感到自豪猶他州猶他州的項目——將為我們國家的經(jīng)濟和國家安全奠定基礎的創(chuàng)新提供動力。”建設更強大的社區(qū)作為TI對教育承諾的一部分,公司將投資900萬美元在Alpine 學區(qū),為幼兒園至12年級的所有學生開發(fā)該州第一個科學、技術、工程和數(shù)學(STEM)學習社區(qū)。該多年計劃將把STEM概念更深入地融入到學區(qū)85,000名學生的課程中,并為其教師和管理人員提供以STEM為導向的專業(yè)發(fā)展。該學區(qū)范圍內(nèi)的計劃將為學生提供必要的STEM 技能,例如批判性思維、協(xié)作和創(chuàng)造性解決問題的能力,以便在畢業(yè)后取得成功。高山學區(qū)負責人Dr. Alpine表示:“我們很高興這種合作關系將幫助我們的學生培養(yǎng)必要的知識和技能,為他們在生活中取得成功以及在技術領域可能的職業(yè)生涯做好準備。”肖恩·法恩斯沃斯。“與城市合作萊希、德州儀器和我們的學校,這項合作投資將影響學生及其家庭的子孫后代。”可持續(xù)建設TI長期致力于負責任的可持續(xù)制造。LFAB2將成為該公司最環(huán)保的晶圓廠之一,旨在滿足領先能源與環(huán)境設計 (LEED) 建筑評級系統(tǒng)結構效率和可持續(xù)性的最高水平之一:LEED金級第4版。LFAB2的目標是由 100% 可再生電力提供動力,并采用先進的12吋設備和工藝萊希將進一步減少廢物、水和能源的消耗。事實上,LFAB2 的水回收率預計是TI現(xiàn)有晶圓廠的近兩倍。萊希。構建半導體制造的下一個時代LFAB2 將補充TI現(xiàn)有的12吋晶圓廠,其中包括 LFAB1 (猶他州李海)、DMOS6(達拉斯),以及RFAB1和RFAB2(都在德克薩斯州理查森)。TI還在美國建設四家新的12吋晶圓廠德克薩斯州謝爾曼(SM1、SM2、SM3和SM4),第一座晶圓廠最早將于2025年開始生產(chǎn)。在《芯片》和《科學法案》的預期支持下,TI 的制造擴張將為模擬和嵌入式處理產(chǎn)品提供可靠的供應。這些在制造和技術方面的投資體現(xiàn)了公司對長期產(chǎn)能規(guī)劃的承諾。
建設更強大的社區(qū)
可持續(xù)建設
構建半導體制造的下一個時代
CMOS芯片產(chǎn)業(yè):探尋國產(chǎn)公司及未來發(fā)展趨勢一、CMOS芯片產(chǎn)業(yè)概述CMOS芯片是一種非常重要的半導體元件,被廣泛運用于數(shù)字電子產(chǎn)品中。CMOS芯片的主要作用是將數(shù)字信號轉化為模擬信號,對于提高數(shù)字電子產(chǎn)品的穩(wěn)定性和性能有著重要的貢獻。二、國產(chǎn)CMOS芯片公司介紹目前國內(nèi)的CMOS芯片公司數(shù)量較多,其中比較知名的有華大基因、中芯國際、長江存儲等。華大基因是一家以生物技術為主的高科技公司,其主營業(yè)務是基因測序和生物芯片。中芯國際則是一家專注于集成電路制造的公司,其旗下?lián)碛卸囗棇@夹g。長江存儲則是一家專注于存儲芯片領域的公司,其主要產(chǎn)品包括閃存芯片等。三、CMOS芯片應用場景及作用CMOS芯片廣泛應用于數(shù)字相機、智能手機、電視機、計算機等數(shù)字電子產(chǎn)品中。CMOS芯片能夠將數(shù)字信號轉化為模擬信號,從而保證數(shù)字電子產(chǎn)品的穩(wěn)定性和性能。此外,CMOS芯片還可以用于人臉識別、智能家居等領域,其應用場景非常廣泛。四、CMOS芯片未來發(fā)展趨勢隨著5G、物聯(lián)網(wǎng)等新興技術的不斷發(fā)展,CMOS芯片在未來的應用場景將會更加廣泛。未來CMOS芯片的發(fā)展趨勢主要包括以下幾個方面:一是芯片尺寸的不斷縮小,從而提高芯片的集成度和性能;二是芯片功耗的不斷降低,從而提高芯片的能效;三是芯片制造的自動化程度的提高,從而提高芯片的制造效率和降低制造成本。總結總的來說,CMOS芯片作為數(shù)字電子產(chǎn)品中非常重要的元件,在未來的發(fā)展中有著非常廣闊的應用前景。國產(chǎn)CMOS芯片公司也在不斷的發(fā)展壯大,未來的CMOS芯片產(chǎn)業(yè)將會呈現(xiàn)出更加繁榮的局面。
HK32AUTO39A-3A 使用 ARM? Cortex?-M3 內(nèi)核,最高工作頻率為 120 MHz,支持一級 1 Kbyte 指令 Cache 緩存。HK32AUTO39A-3A 內(nèi)置了航順自主研發(fā)的協(xié)處理器,可實現(xiàn) ARM? Cortex?-M4 內(nèi)核支持的算 術指令中的絕大部分,包括 32 位單精度浮點運算;此外,協(xié)處理器支持多種自定義的 32 位及 64 位算術運算。HK32AUTO39A-3A 內(nèi)置了大容量存儲器:527 Kbyte Flash(最高)、64Kbyte SRAM、32Kbyte 緊耦合 SRAM 和 1Kbyte Cache。此外,通過 FSMC 模塊可外掛最多 1 GB 容量的外部靜態(tài)存儲器,其中 256 Mbyte 的空 間可以存放指令,并可用于片內(nèi) 1 Kbyte 指令 Cache 緩存。通過 QSPI 模塊外掛 256 Mbyte 容量的 NOR Flash 存儲器,可存放指令,并且可用于片內(nèi) 1 Kbyte 指令 Cache 緩存。 HK32AUTO39A-3A 內(nèi)置了 AES、HASH 和 TRNG 真隨機數(shù)發(fā)生器,用于數(shù)據(jù)加解密及數(shù)字簽名等應用; 內(nèi)置的 CRC 模塊支持數(shù)據(jù)完整性的檢查。HK32AUTO39A-3A 通過內(nèi)置的數(shù)字照相機接口(DCMI)、4 路 TFT 接口和 2 個 DMA 模塊(共 12 路 DMA 通道)可實現(xiàn)數(shù)字圖像視頻從捕獲、運算處理到顯示的單芯片解決方案。HK32AUTO39A-3A 內(nèi)置了串行音頻接口 SAI,支持當前大多數(shù)的音頻接口協(xié)議。HK32AUTO39A-3A 內(nèi)置最多 2 個高級 16 位定時器(共 8 路 PWM 輸出,其中 6 路帶死區(qū)互補輸出), 4 個通用 16 位定時器(共 16 路 PWM 輸出),2 個基本 16 位定時器。2 個高級定時器與內(nèi)置的 4 路電壓 比較器(COMP)片內(nèi)互連,可為客戶節(jié)省電機方案中板級電壓比較器及相關電路。 HK32AUTO39A-3A 提供獨立的 VBAT電池電源域。當 VDD 主電源掉電時,RTC 模塊可在 VBAT 電源供電下 繼續(xù)工作。 HK32AUTO39A-3A 內(nèi)置了豐富的模擬電路:3 個 12 位 ADC(共 25 路模擬信號輸入通道,其中 2 路弱 驅動信號輸入通道和 1 路 5 V 高壓信號輸入通道)、2 個 12 位 DAC、1 個溫度傳感器、1 個 0.8 V 內(nèi)部參 考電壓源、1 個低電壓檢測器(LVD)、1 個上/下電復位(POR/PDR)電路和 1 個 VBAT 電源電阻分壓器(分 壓器輸出在片內(nèi)與 ADC 相連)。 HK32AUTO39A-3A 支持豐富的功耗模式;在最低功耗模式下,芯片的典型漏電電流小于 100 nA。 HK32AUTO39A-3A 系列產(chǎn)品均包括 48 腳、64 腳和 100 腳封裝形式;根據(jù)不同的封裝形式,器件的外 設配置有所不同。 HK32AUTO39A-3A 擁有豐富的外設配置,適合應用于汽車電子。特性ARM? Cortex? -M3 Core 最高時鐘頻率:120 MHz?24 位 System Tick 計時器? 工作電壓范圍? 雙電源域:主電源 VDD為 2.0 V ~ 3.6 V、備份電源 VBAT 為 1.8 V ~ 3.6 V。? 當主電源掉電時,RTC 模塊可繼續(xù)工作在 VBAT 電源下。? 當主電源掉電時,VBAT 電源為 86 Byte 備份寄存器持續(xù)供電。? VDD 典型工作電流 ? 運行(Run)模式動態(tài)功耗:19.34 mA@120MHz@3.3V ? 睡眠(Sleep)模式靜態(tài)功耗:5.65 mA@120MHz@3.3V(喚醒時間:1 個機器時鐘周期) ? 停機(Stop)模式靜態(tài)功耗: - LDO 全速工作:303 μA@3.3V- LDO 低功耗:89.47 μA@3.3V(喚醒時間:10μs)? 待機(Standby)模式靜態(tài)功耗:3.36 μA@3.3V(喚醒時間:150μs)? 關機(Shutdown)靜態(tài)功耗:0.09μA @3.3V(喚醒時間:200μs)? VBAT 典型工作電流(VDD掉電)? VBAT RTC 模式功耗:2.67 μA @3.3V? VBAT 模式功耗:2.19 μA @3.3V(RTC 關閉,備份寄存器保持)? 算術運算協(xié)處理器(COALU)? 實現(xiàn) ARM? Cortex? -M4 內(nèi)核支持的絕大部分算術指令。? 32 位單精度浮點運算 ? 支持多種自定義的 32 位及 64 位算術運算。DMA 控制器? 2 個獨立 DMA 控制器:DMA1 和 DMA2? DMA1 提供 7 路通道? DMA2 提供 5 路通道 ? 支持 Timer、ADC、SPI、I2C、USART 等多種外設觸發(fā)。存儲器 ? 527 Kbyte 的 Flash 存儲器,包括主區(qū) Flash 512 Kbyte,Information 空間 15 Kbyte。當 CPU 主 頻不高于 24 MHz 時,支持 0 等待總線周期,具有代碼安全保護功能,可分別設置讀保護和 寫保護。? 1 Kbyte CPU 指令 Cache 緩存 ? 具有 64Kbyte SRAM 和 32Kbyte CCM SRAM ? FSMC 模塊可外掛 1 GB NOR/PSRAM/NAND/PC Card 存儲器(其中,256 Mbyte 的空間可以存 放指令,可用于片內(nèi) Cache 緩存)。? QSPI 模塊可外掛 256 Mbyte NOR Flash 存儲器(可存放指令,用于片內(nèi) Cache 緩存)。? 內(nèi)置指令加解密功能,放在片內(nèi)存儲器和外掛存儲器的指令可實現(xiàn)千芯千面的密文存儲。? 時鐘 ? 外部 HSE 時鐘:支持 4 ~ 32 MHz 晶振 ? 外部 LSE 時鐘:32.768 kHz 晶振? 內(nèi)部 HSI 時鐘:56 MHz/28MHz/8 MHz ? 內(nèi)部 LSI 時鐘:40 kHz ? PLL 輸出時鐘:120MHz(最大值)復位 ? 外部管腳復位? 電源復位 ? 軟件復位? 看門狗(IWDG 和 WWDG)定時器復位? 低功耗管理復位 ? 安全加密? TRNG 真隨機數(shù)發(fā)生器? 128/192/256 位密鑰長度可配的 AES? HASH(SHA-256)? CRC32 ? 數(shù)據(jù)通訊接口? 6 路 USART ? 3 路 SPI(均支持 I2S 協(xié)議) ? 2 路 I2C? 1 路 SDIO? 2 路 CAN 2.0 A/B ? 1 路全速(FS)USB? 音視頻數(shù)據(jù)接口 ? 1 個數(shù)字照相機接口(DCMI)? 4 路 TFT 接口? 1 個串行音頻接口(SAI),包括 2 個獨立的音頻協(xié)議處理模塊 ? 定時器及 PWM 發(fā)生器? 高級定時器:TIM1/TIM8(6 路帶死區(qū)互補 PWM 輸出)? 通用定時器:TIM2/TIM3/TIM4/TIM5(16 位定時器)? 基本定時器:TIM6/TIM7(支持 CPU 中斷、DMA 請求和 DAC 轉換觸發(fā))? 可編程電壓檢測(PVD)? 8 級檢測電壓門限可調(diào)? 上升沿和下降沿檢測可配置 ? 片內(nèi)模擬外設? 3 個 12 位 1 MSPS ADC(共 25 路模擬信號輸入通道;其中 2 路弱驅動信號輸入通道和 1 路 5 V 高壓信號輸入通道);支持雙 ADC 模式,采樣率最高 2 MSPS。? 2 個 12 位 DAC ? 1 個溫度傳感器 ? 1 個 0.8 V 內(nèi)部參考電壓源? 1 個 VBAT 電源電阻分壓器(分壓器輸出在片內(nèi)與 ADC 相連,實現(xiàn) VBAT電源電壓監(jiān)控) ? 4 路 COMP 電壓比較器(與片內(nèi) 2 個高級 PWM 定時器互連,可為用戶節(jié)省電機方案中板 級 COMP 電壓比較器及相關電路)ID 標識 ? 每顆 HK32AUTO39A-3A 芯片提供一個唯一的 96 位 ID 標識 ? 調(diào)試及跟蹤接口 ? SW-DP 兩線調(diào)試端口 ? JTAG 五線調(diào)試端口 ? ARM DWT、FPB、ITM、TPIU 調(diào)試追蹤模塊 ? 單線異步跟蹤數(shù)據(jù)輸出接口(TRACESWO) ? 四線同步跟蹤數(shù)據(jù)輸出接口(TRACEDO[3:0],TRACECKO)? 自定義 DBGMCU 調(diào)試控制器(低功耗模式仿真控制、調(diào)試外設時鐘控制、調(diào)試及跟蹤接口 分配)。? 通用輸入輸出端口(GPIO)? 64 腳 MCU 提供 51 個 GPIO 引腳,100 腳 MCU 提供 80 個 GPIO 引腳 ? 所有 GPIO 引腳可配置為外部中斷輸入? 內(nèi)置可開關的上、下拉電阻 ? 支持開漏(Open-Drain)輸出 ? 支持施密特(Schmitt)遲滯輸入 ? 輸出驅動能力超高、高、中、低四檔可選 ? 提供最高 40 mA 驅動電流 ? RTC 時鐘計數(shù)器,配合軟件記錄年月日時分秒 ? 可靠性 ? 通過 HBM3000V/CDM500V/MM200V/LU200mA 等級測試 ? 工作溫度范圍 ? 工作溫度為-40°C ~ 105°C: - HK32AUTO39A-3ACET7 ? 工作溫度為-40°C ~ 125°C: - HK32AUTO39A-3ACET3 - HK32AUTO39A-3ARET3 - HK32AUTO39A-3AVET3引腳電源供電電路圖方框圖
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